隨著工程師對(duì)產(chǎn)品的壽命、尺寸及抗震性的要求越來(lái)越多，MOSFET繼電器也越來(lái)越被大眾熟知；MOSFET繼電器在許多方面都比機(jī)械繼電器性能優(yōu)越，它是一種固態(tài)器件，可以取代線圈驅(qū)動(dòng)的信號(hào)繼電器；目前在儀器儀表、門(mén)禁、新能源、測(cè)試設(shè)備上使用的較為廣泛，其中品牌知名度較高的當(dāng)屬歐姆龍OMRON，世界知名手機(jī)廠商的測(cè)試設(shè)備就是采購(gòu)歐姆龍的繼電器；
MOSFET繼電器使用條件：MOS FET繼電器的各種電氣特性受使用溫度限制，在動(dòng)作范圍外的溫度條件下使用時(shí)，不僅會(huì)導(dǎo)致無(wú)法實(shí)現(xiàn)電氣特性，還會(huì)導(dǎo)致MOS FET繼電器的過(guò)早劣化。因此，請(qǐng)預(yù)先掌握溫度特性，并在考慮降額的基礎(chǔ)上進(jìn)行設(shè)計(jì)。此外，使用溫度條件請(qǐng)考慮降額，并將推薦動(dòng)作溫度當(dāng)作一個(gè)參考標(biāo)準(zhǔn)。
在高濕度環(huán)境下長(zhǎng)期使用時(shí)，將導(dǎo)致水分滲入內(nèi)部，從而引起內(nèi)部集成電路塊的劣化和故障的產(chǎn)生。具有高信號(hào)源阻抗的系統(tǒng)中，其基板漏電及MOS FET繼電器的導(dǎo)線間漏電會(huì)導(dǎo)致誤動(dòng)作。上述情況下，請(qǐng)考慮對(duì)MOS FET繼電器表面進(jìn)行防濕處理。另一方面，低濕度下的靜電放電會(huì)導(dǎo)致繼電器損壞，因此在未特別進(jìn)行防濕處理時(shí)，請(qǐng)?jiān)?0～60％的濕度范圍內(nèi)進(jìn)行使用。
產(chǎn)品中使用含有砷及其化合物的LED。其粉末或蒸汽等會(huì)對(duì)人體產(chǎn)生危害，請(qǐng)勿破壞、切割、壓碎或化學(xué)分解。
●保存條件：
（1）請(qǐng)保存在不會(huì)有水淋到、無(wú)陽(yáng)光直接照射的場(chǎng)所。
（2）搬運(yùn)和保存時(shí)，請(qǐng)按照包裝箱上的注意事項(xiàng)進(jìn)行處理。
（3）請(qǐng)保存在常溫、常濕、常壓的場(chǎng)所。此外，溫度和濕度請(qǐng)以5～35℃、45～75％為大致標(biāo)準(zhǔn)。
（4）請(qǐng)保存在硫化氫等腐蝕性氣體及含鹽氣流不會(huì)觸及產(chǎn)品，及用肉眼判斷無(wú)塵埃的場(chǎng)所。
（5）請(qǐng)保存在溫差較小的場(chǎng)所。保存時(shí)溫度的劇烈變化會(huì)導(dǎo)致結(jié)露、導(dǎo)線的氧化與腐蝕等，并引起焊錫熔析性的劣化。
（6）將MOS FET繼電器從包裝中取出后再次保存時(shí)，請(qǐng)使用經(jīng)過(guò)防帶電處理的存放容器。
（7）無(wú)論何種場(chǎng)合，請(qǐng)勿對(duì)產(chǎn)品施加會(huì)導(dǎo)致變形、變質(zhì)的力。
（8）本公司產(chǎn)品的保證期限為產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)后或交付到指定場(chǎng)所后的1年之內(nèi)。通常存放一年以上時(shí)，建議在使用前先確認(rèn)錫焊性。
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